中新社臺北8月6日電 日媒《日經(jīng)亞洲》5日報道，臺積電內(nèi)部爆出核心技術(shù)外泄事件，臺積電前員工涉嫌違規(guī)取得2納米制程技術(shù)機密，泄露給東京威力科創(chuàng)員工。臺灣“高檢署”證實，相關(guān)涉案人員涉嫌非法取得營業(yè)秘密，已向法院聲押禁見臺積電前員工陳姓男子等3人獲準。

　　綜合《工商時報》《經(jīng)濟日報》等臺媒報道，此次事件涉案人數(shù)高達9人，橫跨臺積電研發(fā)與生產(chǎn)線部門。其中一名臺積電跳槽至日本東京威力科創(chuàng)的工程師聯(lián)合2名臺積電在職工程師，疑似利用遠端連線進入研發(fā)內(nèi)網(wǎng)，使用個人手機或電子裝置拍攝上千張照片，竊取技術(shù)機密。

　　據(jù)悉，東京威力科創(chuàng)為臺積電重要的設(shè)備供應(yīng)商之一。截至目前，該公司未就此事做任何評論。其母公司TOKYO ELECTRON股價受到?jīng)_擊，一度下跌逾4%。

　　臺積電5日回應(yīng)稱，近期在常規(guī)的監(jiān)控情況下偵測到違規(guī)行為，經(jīng)內(nèi)部調(diào)查發(fā)現(xiàn)涉及營業(yè)秘密泄露情況。由于公司建立全面及完備的監(jiān)控機制，得以及早發(fā)現(xiàn)，已對涉事違規(guī)人員進行嚴厲懲處，并已采取相關(guān)法律行動，此案現(xiàn)已進入司法程序。

　　島內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者指出，2納米制程開發(fā)難度、投入成本極高，是現(xiàn)階段全球最先進的晶片制造工藝，一旦外泄，或?qū)⒏淖內(nèi)蚓瞥谈偁幐窬帧Ｄ壳叭騼H有臺積電、三星、英特爾與日本Rapidus等少數(shù)企業(yè)仍持續(xù)研發(fā)，臺積電預(yù)計最快將于2025年底前量產(chǎn)2納米晶片。

　　專家分析，先進制程采取高度分工與模組化設(shè)計，單一站點資料難以復(fù)制整體制程，但若涉案者具備研發(fā)背景，并掌握2納米良率調(diào)校的關(guān)鍵參數(shù)與制程條件，就可能大幅縮短競爭對手的追趕時程，尤其對韓國三星、日本Rapidus等正積極發(fā)展2納米的廠商而言，將成為重大突破口。

　　臺積電2納米技術(shù)泄密疑云爆發(fā)之際，恰逢美國將宣布依《1962年貿(mào)易擴展法》第232條款，對進口半導(dǎo)體啟動國家安全調(diào)查。美國總統(tǒng)特朗普5日接受CNBC專訪時表示，臺積電將投資美國3000億美元。臺灣有專家指出，泄密案發(fā)生時間點敏感，潛藏政治與經(jīng)濟層面的多重風(fēng)險。(完)