中新網(wǎng)西安11月5日電 (記者 阿琳娜)陜西光電子先導院4日宣布，“8英寸先進硅光集成技術創(chuàng)新平臺”(以下簡稱：8英寸硅光平臺)已正式通線，并發(fā)布了一款無源SOI(絕緣襯底上的硅)集成超低損耗氮化硅產(chǎn)品的PDK(工藝設計套件)。

　　作為西北地區(qū)首條硅光中試線，8英寸硅光平臺的正式通線，不僅填補了區(qū)域硅光芯片中試領域空白，更成為陜西“追光計劃”實施以來的標志性成果，將作為陜西打造千億級光子產(chǎn)業(yè)集群的核心支點，為“追光計劃”從藍圖邁向?qū)嵺`注入關鍵動力。

　　“8英寸硅光平臺的通線，徹底補全了陜西在硅光芯片中試領域的短板。”陜西光電子先導院總經(jīng)理楊軍紅表示，該院已累計投入約15億元構(gòu)建“6英寸化合物芯片+8英寸硅光芯片”雙中試平臺，此前6英寸化合物平臺已服務50余家企業(yè)，如今硅光平臺的加入，將與西安科學園的先進阿秒激光設施、光子傳感園的產(chǎn)業(yè)化載體形成聯(lián)動，為“追光計劃”培育千億級集群提供從基礎研究、中試驗證到量產(chǎn)落地的全鏈條支撐。

　　8英寸硅光平臺總投資7.5億元，于2023年底啟動建設。截至2025年9月末，已完成全部場地及硬件設施建設。該平臺引進了比利時IMEC“130nm硅光芯片工藝包”，并引入了光刻、刻蝕等60余臺(套)關鍵核心設備，在130nm有源集成硅光主工藝平臺基礎上，開發(fā)90nm以上先進工藝，已構(gòu)建起自主可控的先進工藝體系。

　　當日，陜西光電子先導院還正式發(fā)布了一款無源SOI(絕緣襯底上的硅)集成超低損耗氮化硅產(chǎn)品的PDK(工藝設計套件)?！斑@是陜西光電子先導院硅光平臺發(fā)布的首款PDK，預計將于2026年完成有源產(chǎn)品通線，包含高性能調(diào)制器、探測器等核心器件，將加速可應用于人工智能、光通信、光計算、智能駕駛、低空飛行等領域的產(chǎn)品迭代進程，大幅縮短光電、硅光客戶的流片周期和研發(fā)成本。”楊軍紅表示。

　　據(jù)了解，6英寸化合物平臺自2023年啟用以來，已發(fā)布20余款 PDK，為50余家客戶提供全流程服務；8英寸硅光平臺雖剛通線，但已與十余家頭部企業(yè)達成意向合作協(xié)議，并吸引了多家外地企業(yè)聚集陜西。

　　“從化合物半導體到硅光集成，我們正以平臺能力躍升支撐新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展?！睏钴娂t透露，下一步將推進異質(zhì)異構(gòu)集成平臺建設，構(gòu)建“化合物半導體+硅光+異質(zhì)異構(gòu)集成”三位一體的平臺架構(gòu)，實現(xiàn)從材料生長、芯片制程、器件封裝到系統(tǒng)測試的全鏈條覆蓋，為光通信、生物傳感、人工智能等前沿領域提供關鍵支撐，助力陜西成為光子產(chǎn)業(yè)高地。(完)